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美国FEI公司_美国进口扫描电子显微镜(扫描电镜)产品对比

美国FEI公司_美国进口扫描电子显微镜(扫描电镜)产品对比

美国FEI公司是一家业内良好的企业,凭60多年的技术历史和业内0先地位,FEI成为了透射电子显微镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)、整合了SEM与聚焦离子束(FIB)的DualBeam™仪器和用于精密高速切割与加工的专用聚焦离子束仪器的较佳性能标准。FEI公司推出的多功能、高性能扫描电子显微镜 (SEM) 共有四大系列,其中之一就是拥有世界*高分辨率 (XHR) 的扫描电子显微镜,即 Verios XHR 扫描电子显微镜,这是一部可以在不同角度和在1-30kv范围内用小于一纳米分辨率进行三维表面成像的仪器

一、Verios™ XHR 扫描电子显微镜


极高分辨率的扫描电子显微镜
Verios XHR SEM系列扫描电子显微镜 (SEM)让科学家和工程师迅速看到以前无法视及的微观世界:高灵敏的表面图像、以及俯视或从其它角度观看图像,分辨率可达到一纳米以下。 这款电镜上的一些重要突破在于它镜筒上采用了单色枪技术,它使显微学家可较好地把高空间分辨率和超浅入射电子束结合在一起。Verios XHR SEM系列扫描电子显微镜(SEM)在不受样品大小限制的条件下,既扩展了传统纳米尺度扫描电子显微镜的成像和分析范围与能力,同时又具备相当于传统扫描电子显微镜 (SEM) 的速度和易用性。

主要优点
• 亚纳米分辨率、1 kV - 30 kV
• 表面灵敏高分辨率成像,低至 20 V 的着陆能量
• 样品尺寸、形状、成分、制备不会互相制约
• 包括分析和原型制造的多样应用性
• 简单易学、易用

规格
Verios XHR SEM
Landing Energy 1 keV - 30 keV
Probe current E-beam:0.8 pA up to 100 nA
Sample size Maximum size: 100 mm diameter with full rotation


二、Q25 / Q45 用于材料科学的扫描电子显微镜


对于失效分析、质量控制和材料表征而言、Q25是经济、高效的高分辨成像和分析应用的解决方案。在设计上侧重易用性、Q25可以让用户迅速得到他们所需的数据。

为应对不导电样品、Q25提供了低真空模式下的高性能、消除了对专用的样品制备步骤或者附加的样品镀膜仪的需求。Q25样品室的设计和真空系统能够快速更换样品、允许日常高效、快速检测样品。

为满足客户对大样品或块状样品的要求、Q45提供了更大的真空样品室和100mm的样品台行程。另外、Q45加上了环境扫描(ESEM)模式、扩展了SEM的成像和分析功能到加热、含水或放气的样品。

主要优点
• 简单易用,即使是新手利用直观的软件可实现高效操作。
• 利用稳定的高束流(上至2 μA)电子束可以迅速获得精确的分析结果。
•快速轻松表征导电和非导电样品
• 支持可选的分析功能。利用独有的多级穿过透镜的真空系统在高真空和低真空下使导电样品和不导电样品的精确EDS分析成为可能。
• Q45 SEM: 采用为ESEM选配的帕尔贴冷台可在样品的自然含水状态下完成样品的动态原位分析。

规格
Q25 SEM High vacuum
3.0 nm at 30 kV (SE)
4.0 nm at 30 kV (BSE)*
8.0 nm at 3 kV (SE)
Low vacuum
3.0 nm at 30 kV (SE)
4.0 nm at 30k V (BSE)*
10 nm at 3 kV (SE)
*optional 200 V - 30 kV up to 2 μA, continuously adjusted 13 to 1000000x 284 mm size left to right
Q45 SEM High vacuum
3.0 nm at 30 kV (SE)
4.0 nm at 30 kV (BSE)*
8.0 nm at 3 kV (SE)
High vacuum with beam deceleration option 7.0 nm at 3 kV(BD mode* + vCD*)
Low vacuum
3.0 nm at 30 kV (SE)
4.0 nm at 30k V (BSE)*
10 nm at 3 kV (SE)
Extended vacuum mode (ESEM)
3.0 nm at 30 kV (SE)
*optional 200 V - 30 kV up to 2 μA, continuously adjusted 6 to 1000000x 284 mm size left to right


三、Nova™ NanoSEM 扫描电子显微镜


适合各种应用的纳米级研究工具
Nova NanoSEM50系列可帮助取得更大成就。 NanoSEM50系列还引入了zui低速度新一代的高灵敏可伸缩SE/ BSE和干探测器和多功能的SE/ BSE过滤功能,使感兴趣的信息zui低速度佳化。智能扫描模式可用于尽可能避免成像假象。

主要优点
• 场发射 SEM、超稳定高电流 Schottky 电子枪
• 先进的光学和探测技术,包括沉浸模式、射束减速、透镜内 TLD-SE 和 TLD–BSE、DBS 和 STEM,可实现佳信息选择和图像优化
• 低至 50 V 的射束着陆能量
• 1.4 nm @ 1 kV、无射束减速
• 高分辨率的低真空 FESEM: 1.8 nm @ 3 kV 和 30 Pa
• 高达 200 nA 的高真空或低真空分析
• 整合式 16 位扫描/制图引擎
• 超洁净、无油滚动和涡轮抽气真空系统
• 150 x 150 mm 高精密、高稳定压电样品台 (Nova NanoSEM 650)

规格
Nova NanoSEM 50 系列
分辨率 高真空 15 kV (TLD)
1 kV (TLD、无 BD)
100 V (DBS)
15 kV, 5 nA 1.0 nm
1.4 nm
3.5 nm
3.0 nm
分辨率 低真空  3 kV 和 30 Pa (Helix) 1.8 nm
射束电流    高达 200 nA
着陆电压范围  50 V - 30 kV
样品台 X x Y x Z (mm) 110 x 110 x 25
150 x 150 x 10
机室   大试件室
探测 透镜内
透镜下、大角度探测器 TLD SE 和 BSE
高灵敏度 DBS (SE/BSE)


四、Quanta™ 扫描电子显微镜


适用于各种样品的高真空、低真空和 ESEM 模式
FEI QUANTA™产品系列包括6个变量的压力和环境扫描电子显微镜(ESEM™)和两个DualBeam™系统,所有这些都可以容纳多个样品和工业过程控制实验室,材料科学实验室和生命科学实验室的成像要求。Quanta系列的扫描电子显微镜,是一款多功能,高性能仪器与任何SEM系统的样本,以适应范围广的三种模式(高真空,低真空和ESEM)。如能谱仪,波长色散X射线光谱仪和电子背散射衍射分析系统,可配备所有的广泛电脑扫描电镜系统。

主要特点
•z小化样品制备的数量,低真空和 ESEM 功能可实现绝缘及/或含水样品的无荷电成像和分析
• 通过 Quanta 的“经由透镜”专利压差真空技术,可在高真空和低真空条件下对导电和绝缘样品进行 EDS 和 EBSD 分析,提高分析能力。 稳定的高射束电流(高达 2 μA)可实现快速准确的分析
• 使用原位样品台在 - 165 °C - 1500 °C 环境温度条件下执行各种自然状态样品的动态原位分析
• 使用可选的射束减速模式完成表面成像,以获取导电样品的表面和成分信息
• 易用和直观性令初学者也能进行高效操作。

规格:
分辨率 加速
电压 探针电流 样品台 放大率 试件室尺寸
Quanta 50 系列 高真空
• 3.0 nm/30 kV (SE)
• 4.0 nm/30 kV (BSE)
• 10.0 nm/3 kV (SE)
低真空
• 3.0 nm/30 kV (SE)
• 4.0 nm/30k V (BSE)
• 10 nm/3 kV (SE) 200 V
- 30 kV 高达 2 μA,
可持续
调节 20 - 1000000
x (四象限视图) 左右宽
284mm-379mm
Quanta 50 系列/配 FEG 高真空
• 0.8 nm/30 kV (STEM)*
• 1.0 nm/30 kV (SE)
• 2.5 nm/30 kV (BSE)
• 3.0 nm/1 kV (SE)
低真空
• 1.4 nm/30 kV (SE)
• 2.5 nm/30 kV (BSE)
• 3.0 nm/3 kV (SE) 200 V
- 30 kV 高达 2 μA,
可持续
调节 20 - 1000000
x (四象限视图) 284mm-379mm
内径(从左至右)


五、Inspect™ 扫描电子显微镜


用于纳米尺度研究的重要扫描电子显微镜
Inspect 系列扫描电子显微镜 (SEM)采用X进的样品室真空技术 以及 FEI 的电子光学和样品生产量技术。只要检验、表征、工艺控制和失效分析至关重要,则 Inspect S50 和 Inspect F50 型显微镜的高分辨率成像必不可少。 直观的用户界面和 软件、直接通过工具栏即可访问的为记录和存储图像所需的所有功能 非常适合多用户 环境,同时全方位地操作可应用各种样品 杆的样品台给仪器带来了额外的使用价值和灵活性,满足对不同样品大小和应用的需求。

主要特点
• 易用且直观的软件可确保初学者也能进行高效操作
• 轻松表征导电和绝缘样品(S50 型)
• 确保使用稳定的高电流 FEG (最高 200 nA)进行快速、准确的 EDS 和 EBSD 分析(F50 型)
• 使样品制备数量降至z低: 低真空可实现绝缘样品的非荷电成像和分析(S50 型)
• 大幅减少更改加速电压 (kV) 时对镜筒的调整。 所有调整均会依据用户选择的加速电压及/或照射点设置自动执行(F50 型)
• 确保在高真空和低真空条件下进行准确的导电和绝缘样品 EDS 和 EBSD 分析, 使用“经由透镜”抽气技术创造高真空和低真空环境(S50 型)
• 利用可选射束减速模式获取导电样品的表面和成分信息(F50 型)

规格;

分辨率 加速电压 探针电流
Inspect S  高真空
• 3.0nm/30kV (SE)
• 10nm/3kV (SE)
• 4.0nm/30kV (BSE)
低真空
• 3.0nm/30kV (SE)
• 4.0nm/30kV (BSE)
• < 12nm/3kV (SE) 200V – 30kV 高达 2 μA,可持续调节
Inspect F  高真空
• 0.8nm/30kV (STEM) *
• 1.2nm/30kV (SE)
• 2.5nm/30kV (BSE) *
• 3.0nm/1kV (SE) 200V – 30kV 高达 2 μA,可持续调节

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